電気特性変転性素材で形成された電荷マップ型メモリアレイ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉田研二 , 石田純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008317990
Publication number (International publication number)：2009152596
Application date： Dec. 15, 2008
Publication date： Jul. 09, 2009
Summary：

【課題】情報を安定且つ確実に記憶できるデバイスを複雑な構成の回路や高機能素材なしで実現する。【解決手段】データライン20に接続されたトランジスタ12にコンデンサ16を直列接続し、そのトランジスタ12のゲートをゲートライン18に接続し、コンデンサ16の他端を基準ライン22に接続する。コンデンサ16又はトランジスタ12を形成する素材又はその一部、例えばコンデンサ16内の誘電体、トランジスタ12内の半導体素材、トランジスタ12内の誘電体等を、バイアスの印加等で使用先デバイスに電気特性変化をもたらしまたその変化を持続させる電気特性変転性素材とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

データライン、コンデンサ並びにそれらの間に接続されたトランジスタを備え、コンデンサ又はトランジスタを形成する素材に電気特性変転性素材が含まれるメモリセルアレイ。

IPC (4)：

H01L 27/10 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , G11C 13/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L27/10 449 , G11C13/00 Z

F-Term (5)：

5F083FZ07 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

米国特許第6812509号明細書
強誘電体半導体装置のための有機物
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-533231 Applicant：イペロカンパニーリミテッド
有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-372623 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (5)

有機メモリ装置及びそのためのドライバ回路
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-501546 Applicant：ポリアイシーゲーエムベーハーウントコーカーゲー
有機強誘電体メモリ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-072578 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体半導体装置のための有機物
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-533231 Applicant：イペロカンパニーリミテッド

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