有機メモリ装置及びそのためのドライバ回路

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006501546
Publication number (International publication number)：2006519483
Application date： Jan. 14, 2004
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：

本発明は有機メモリ装置及びそのためのドライバ回路に関する。有機メモリ装置は、双安定に切り換え可能な材料を有するか、あるいは2つのOFETを直列に接続し、一つのOFETをコンデンサとその低電位側で並列に接続して、そのコンデンサが放電OFETと並列に接続され、第2のOFETによって充電されるようにした回路を備える。

Claim (excerpt)：

(誘電率、電気伝導率及び/又は透磁率などの)特性を双安定に切り換えることができる、少なくとも一つの双安定に切り換え可能な有機機能層を有する有機ベースのメモリ装置。

IPC (5)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 27/28

FI (8)：

H01L27/10 444A , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/28 100B , H01L27/10 444B , H01L27/10 449

F-Term (17)：

5F083FR01 , 5F083FR05 , 5F083FR06 , 5F083FZ07 , 5F083HA02 , 5F083JA60 , 5F110AA16 , 5F110BB08 , 5F110BB20 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG42 , 5F110HK32 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開昭60-113474
強誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに強誘電体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-394958 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-239664

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