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J-GLOBAL ID：200903004461615067

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor：
西 恒寛

About 西 恒寛

, 
中島 睦雄

About 中島 睦雄

, 
小林 知洋

About 小林 知洋


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001363804
Publication number (International publication number)：2002234914
Application date： Nov. 29, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：
【要約】【解決手段】 式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物。【化1】(R1、R2、R3、R4はH又はアルキル基、R5、R6はH、アルキル基、アシル基、アルキルスルフォニル基、アルコキシカルボニル基又はアルコキシアルキル基、kは0又は1。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れている。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R1とR2、R3とR4はそれぞれ結合して環を形成してもよく、その場合にはR1とR2、R3とR4の組み合わせで炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R5、R6は水素原子、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アシル基又はアルキルスルフォニル基、又は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基又はアルコキシアルキル基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。kは0又は1である。)
IPC (4)：
C08F 34/02 ,  C08G 61/12 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C08F 34/02 ,  C08G 61/12 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (40)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025FA17 ,  4J032BA07 ,  4J032BA21 ,  4J032BA25 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BB06 ,  4J032BB09 ,  4J032BD05 ,  4J100AK32P ,  4J100AL08Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR32Q ,  4J100AR32R ,  4J100BA03R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BA22R ,  4J100BC03P ,  4J100BC03R ,  4J100BC04P ,  4J100BC07Q
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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