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J-GLOBAL ID：200903004516972085

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
吉田 宏

About 吉田 宏


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999247690
Publication number (International publication number)：2001077221
Application date： Sep. 01, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】バイポーラのコレクタ引き出し領域を小さくでき、更にエミッタ領域の不純物濃度低下を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、一導電型の半導体基板上に設けられた逆導電型ウエル7と、逆導電型ウエル上に設けられた溝15と、溝の底面部に設けられた高濃度逆導電型拡散層17と、逆導電型ウエル上に設けられた一導電型領域8と、一導電型領域上に設けられた逆導電型領域16を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
一導電型の半導体基板上に設けられた逆導電型ウエルと、前記逆導電型ウエル上に設けられた溝と、前記溝の底面部に設けられた高濃度逆導電型拡散層と、前記逆導電型ウエル上に設けられた一導電型領域と、前記一導電型領域上に設けられた逆導電型領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 29/41
FI (4)：
H01L 27/06 321 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/44 C
F-Term (50)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD37 ,  4M104DD66 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104FF08 ,  4M104FF31 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG19 ,  4M104HH05 ,  4M104HH14 ,  5F038AC05 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038CD19 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AA10 ,  5F048AC05 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BG12 ,  5F048CA00 ,  5F048CA01 ,  5F048CA12 ,  5F048CA13 ,  5F048CA14 ,  5F048CA15 ,  5F048DA13 ,  5F048DA15 ,  5F048DA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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