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J-GLOBAL ID：200903004743344198

ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体

Inventor：
小中原 馨

About 小中原 馨

, 
田 透

About 田 透

, 
福谷 和彦

About 福谷 和彦


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 山下 穣平 ,  志村 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003290538
Publication number (International publication number)：2005060755
Application date： Aug. 08, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
【課題】無電解めっきによる高機能性化を図り、数十nm以下のサイズを有する微細構造を形成することができるナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】ナノ構造体15の製造方法は、下地膜13付きの基板14と、基板14に対して垂直方向に形成されたAlを主成分とする柱状部材21およびこの柱状部材21の側面を囲むように配置されるSi、Ge、SiGeのいずれかを主成分とするマトリックス22からなるAl(Si,Ge)混合薄膜24とから構成される基体を用意する工程と、この基体中のAlを主成分とする柱状部材21を除去することにより基体中に細孔31を形成する工程と、無電解めっき浴に細孔31を形成した基体を浸すことにより細孔31中に柱状構造体33を形成する工程とを含む。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板、下地膜、SiまたはGeを主材料とした薄膜、及び前記薄膜の細孔中に形成された柱状構造体からなるナノ構造体の製造方法において、 前記下地膜付きの基板と、この基板表面に形成されたAlを主成分とする柱状部材及びその柱状部材の側面を囲むように配置されたSi、Ge、SiGeのいずれかを主成分とするマトリックスからなる構造体を成すAl(Si,Ge)混合薄膜とを有する基体から前記柱状部材を除去することにより前記基体中に細孔を形成する工程と、無電解めっき浴に前記細孔が形成された基体を浸すことにより前記細孔中に柱状構造体を形成する工程とを含むことを特徴とするナノ構造体の製造方法。
IPC (2)：
C23C18/31 ,  C23F1/44
FI (2)：
C23C18/31 A ,  C23F1/44
F-Term (33)：
4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022AA44 ,  4K022BA04 ,  4K022BA06 ,  4K022BA14 ,  4K022BA15 ,  4K022BA16 ,  4K022BA18 ,  4K022BA25 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022BA33 ,  4K022CA02 ,  4K022CA06 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K057WA13 ,  4K057WB05 ,  4K057WB06 ,  4K057WB15 ,  4K057WE01 ,  4K057WE03 ,  4K057WE04 ,  4K057WE05 ,  4K057WE21 ,  4K057WE22 ,  4K057WG01 ,  4K057WN01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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