負性抵抗電界効果トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999368916
Publication number (International publication number)：2001185559
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】低消費電力で高周波性能も高く、望ましくはさらにPVCRも高い負性抵抗特性電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】化合物へテロ接合を用いた電界効果トランジスタ構造で、基板11上に高移動度チャネル層13と低移動度チャネル層14とから成るデュアルチャネル層(13+14)を形成する。このデュアルチャネル層(13+14)にあってホットキャリアの走行するチャネル長方向と直交する方向のチャネル幅を、少なくとも量子細線の特質の現れる幅にまで狭める。

Claim (excerpt)：

化合物へテロ半導体の積層構造として、相対的に狭いエネルギバンドギャップの高移動度チャネル層と相対的に広いエネルギバンドギャップの低移動度チャネル層とが接合しているデュアルチャネル層を基板上に有すると共に、それぞれコンタクト層を介して上記高移動度チャネル層に電気的に導通する一方、互いには離間したソース、ドレイン電極と、該ソース、ドレイン電極の間に設けられ、絶縁層を介するかショットキ接合を介して上記デュアルチャネル層に臨むゲート電極とを有して成り、上記ドレイン電極に印加するドレイン電圧により上記高移動度チャネル層を走行するキャリアをホットキャリアとし、上記ゲート電極に印加する電圧によって上記高移動度チャネル層内の上記ホットキャリアを上記低移動度チャネル層に実空間遷移させ、もってドレイン電流に関し負性抵抗特性を発現させる負性抵抗電界効果トランジスタであって;上記デュアルチャネル層にあって上記ホットキャリアの走行するチャネル長方向と直交する方向のチャネル幅を、少なくとも量子細線の特質の現れる幅にまで狭めたこと;を特徴とする負性抵抗電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , H01L 29/778

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 29/80 B , H01L 29/80 H

F-Term (30)：

5F045AA05 , 5F045AB17 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045DA53 , 5F045DA56 , 5F045DA63 , 5F102FB03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ06 , 5F102GK04 , 5F102GL00 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL16 , 5F102GL17 , 5F102GL20 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GT03 , 5F102HA13 , 5F102HC01 , 5F102HC04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平3-155169
特開平2-122571
特開昭62-200772

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Development of Si and compound semiconductor ultra-small FETs
負性抵抗InGaAs量子細線FET
Ridge-type InGaAs quantum wire field effect transistor with negative differential resistance

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