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J-GLOBAL ID:200903004778193729

光導波用珪酸系ガラス層の製造方法及びこれに用いられるCVD原料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 羽鳥 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001074697
Publication number (International publication number):2002274871
Application date: Mar. 15, 2001
Publication date: Sep. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 CVD法において、組成制御が容易であり、ドーパントの局在化を抑制できる光導波用珪酸系ガラス層の製造方法及び該方法に使用されるCVD原料を提供する。【解決手段】 下記一般式(I)及び/又は(II)で表されるシラン系化合物を用いた化学気相成長(CVD)法による光導波用珪酸系ガラス層の製造方法。【化1】
Claim (excerpt):
下記一般式(I)及び/又は(II)で表されるシラン系化合物を用いた化学気相成長(CVD)法による光導波用珪酸系ガラス層の製造方法。【化1】
IPC (3):
C03B 19/14 ,  C23C 16/40 ,  G02B 6/12
FI (3):
C03B 19/14 ,  C23C 16/40 ,  G02B 6/12 N
F-Term (9):
2H047PA05 ,  2H047QA04 ,  4G014AH11 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 光導波路の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-136352   Applicant:日本電気株式会社
  • 気相成長によるリン珪酸ガラス膜の形成法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-274008   Applicant:旭電化工業株式会社
  • 成膜方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-281157   Applicant:キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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