高周波半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999275064
Publication number (International publication number)：2001102471
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来の高周波半導体装置においては、金属製蓋体による封止後に高周波用半導体素子の線路導体の特性インピーダンスが封止前と異なってしまう。【解決手段】上面に高周波用半導体素子13の搭載部11aを有する基板11と、搭載部11a上に搭載された、線路導体14を有する高周波用半導体素子13と、基板11上に搭載部11aを取り囲むように接合された枠体12と、枠体12を貫通して設けられた高周波入出力部15と、枠体12の上面に接合された蓋体20とを具備して成り、蓋体20は、誘電体板21の上面に上面接地導体22が、下面に高周波用半導体素子13の線路導体14と対向する部位24を除いて下面接地導体23が形成されるとともに、内部に上面接地導体22と下面接地導体23とを導通させる貫通導体25が配設されている高周波半導体装置である。封止後の線路導体の特性インピーダンスの変化を抑制して高周波特性の差異を低減することができる。

Claim (excerpt)：

上面に高周波用半導体素子の搭載部を有する基板と、該搭載部上に搭載された、線路導体を有する高周波用半導体素子と、前記基板上に前記搭載部を取り囲むように接合された枠体と、該枠体を貫通して設けられた高周波入出力部と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備して成り、該蓋体は、誘電体板の上面に上面接地導体が、下面に前記高周波用半導体素子の前記線路導体と対向する部位を除いて下面接地導体が形成されるとともに、内部に前記上面接地導体と前記下面接地導体とを導通させる貫通導体が配設されていることを特徴とする高周波半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

高周波集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-247585 Applicant：三菱電機株式会社
高周波用半導体外囲器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-310681 Applicant：株式会社東芝
マイクロ波・ミリ波回路のパッケージ構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-012067 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

高周波集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-247585 Applicant：三菱電機株式会社
高周波用半導体外囲器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-310681 Applicant：株式会社東芝
マイクロ波・ミリ波回路のパッケージ構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-012067 Applicant：富士通株式会社

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