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J-GLOBAL ID：200903004886094010
磁気抵抗効果素子の製造方法
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999256208
Publication number (International publication number)：2001084532
Application date： Sep. 09, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 実用的な素子サイズに適合する抵抗値を有する強磁性トンネル接合を歩留りよく形成できる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。【解決手段】 2層の強磁性層(12、14)の間に誘電体層(13)を設けた構造を有する強磁性一重トンネル接合、または3層の強磁性層(12、14、16)の各層間に誘電体層(13、15)を設けた構造を有する強磁性二重トンネル接合を含む磁気抵抗効果素子を製造するにあたり、強磁性層(12、14)上に誘電体膜(13a、15a)を形成する工程と、酸素または窒素を含有するガスを導入して誘電体膜を酸化または窒化するか、ガスを導入した後にグロー放電させてプラズマ中で誘電体膜を酸化または窒化(13b、15b)する工程とを有する。
Claim (excerpt)：
2層の強磁性層の間に誘電体層を設けた構造を有する強磁性一重トンネル接合、または3層の強磁性層の各層間に誘電体層を設けた構造を有する強磁性二重トンネル接合を含む磁気抵抗効果素子を製造するにあたり、強磁性層上に誘電体膜を形成する工程と、酸素または窒素を含有するガスを導入して誘電体膜を酸化または窒化するか、前記ガスを導入した後にグロー放電させてプラズマ中で誘電体膜を酸化または窒化する工程とを具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD59
, 2G017AD62
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA21
, 5D034DA07
