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J-GLOBAL ID：200903004931182600

酸化マグネシウム薄膜材料

Inventor：
井 手 亜 里

About 井 手 亜 里

, 
東 條 賢

About 東 條 賢

, 
田 中 義 和

About 田 中 義 和


Applicant, Patent owner：
テクノロジーシードインキュベーション株式会社

About テクノロジーシードインキュベーション株式会社


Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004081747
Publication number (International publication number)：2005264272
Application date： Mar. 19, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】イオン衝撃二次電子放出比に関して従来のMgO保護膜よりも優れた新しい次世代PDP用の保護膜を提供することにある。【解決手段】イオン衝撃二次電子放出特性を改善する手段としては、MgOにバンドギャップの小さい材料(NiO、ZnO、Eu2O3、SnO2、又はCaO)を添加することで、仕事関数や結晶性および表面形状を改善させ、二次電子放出比の向上を図る。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
プラズマディスプレイパネルの誘電体層を放電から保護するために用いる酸化マグネシウム薄膜を形成する材料であって、 酸化マグネシウムに、バンドギャップが1.5eV以上、5.8eV以下の範囲にある添加材を添加したことを特徴とする酸化マグネシウム薄膜材料。
IPC (3)：
C23C14/24 ,  C04B35/04 ,  H01J11/02
FI (3)：
C23C14/24 E ,  H01J11/02 B ,  C04B35/04 Z
F-Term (33)：
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA11 ,  4G030AA16 ,  4G030AA21 ,  4G030AA24 ,  4G030AA29 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030BA12 ,  4G030BA15 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA08 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029BA43 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB21 ,  5C040GE07 ,  5C040KB03 ,  5C040KB22 ,  5C040KB28 ,  5C040KB29 ,  5C040MA16 ,  5C040MA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (6)
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