金属微細パタン形成法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999102770
Publication number (International publication number)：2000297396
Application date： Apr. 09, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板上の任意の箇所に、非常に微小なサイズの構造体を電着で形成する。【解決手段】先鋭化した導電性の探針を、メッキ液中で基板上に絶縁体のパターンを設けた導電性基板に近接させて基板上に電着を行う。絶縁体のパターンをアルミナ、あるいは、陽極酸化アルミナで形成する。また、絶縁体のパターンをフォトリソグラフィー法により形成する。絶縁体のパターンのサイズが1μm以下である。先鋭化した導電性探針の先端の絶縁体が形成されていない開口部のサイズが0.1μm以下である。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に細孔が開口した絶縁性皮膜を備える細孔基板をメッキ液中に浸し、先鋭化された導電性の探針を前記細孔基板の細孔に近接させ、前記導電性基板と前記探針との間に電圧を印加して、前記メッキ液中の電着材を前記細孔に電着することを特徴とする構造体の作製方法。

IPC (2)：

C25D 5/04 , H05K 3/18

FI (2)：

C25D 5/04 , H05K 3/18 G

F-Term (25)：

4K024AA03 , 4K024AB01 , 4K024AB02 , 4K024AB08 , 4K024AB17 , 4K024AB19 , 4K024BA06 , 4K024BA11 , 4K024BB09 , 4K024BB27 , 4K024BB28 , 4K024BC10 , 4K024CB06 , 4K024CB08 , 4K024CB09 , 4K024CB24 , 4K024DA10 , 4K024FA05 , 4K024GA16 , 5E343AA22 , 5E343AA24 , 5E343AA35 , 5E343DD33 , 5E343DD44 , 5E343GG11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

超微細加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-281518 Applicant：セイコー電子工業株式会社
微細加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-074733 Applicant：セイコー電子工業株式会社
磁気光学薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-349672 Applicant：三菱電線工業株式会社

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