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J-GLOBAL ID:200903004974407702
金属微細パタン形成法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999102770
Publication number (International publication number):2000297396
Application date: Apr. 09, 1999
Publication date: Oct. 24, 2000
Summary:
【要約】【課題】 基板上の任意の箇所に、非常に微小なサイズの構造体を電着で形成する。【解決手段】 先鋭化した導電性の探針を、メッキ液中で基板上に絶縁体のパターンを設けた導電性基板に近接させて基板上に電着を行う。絶縁体のパターンをアルミナ、あるいは、陽極酸化アルミナで形成する。また、絶縁体のパターンをフォトリソグラフィー法により形成する。絶縁体のパターンのサイズが1μm以下である。先鋭化した導電性探針の先端の絶縁体が形成されていない開口部のサイズが0.1μm以下である。
Claim (excerpt):
導電性基板上に細孔が開口した絶縁性皮膜を備える細孔基板をメッキ液中に浸し、先鋭化された導電性の探針を前記細孔基板の細孔に近接させ、前記導電性基板と前記探針との間に電圧を印加して、前記メッキ液中の電着材を前記細孔に電着することを特徴とする構造体の作製方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (25):
4K024AA03
, 4K024AB01
, 4K024AB02
, 4K024AB08
, 4K024AB17
, 4K024AB19
, 4K024BA06
, 4K024BA11
, 4K024BB09
, 4K024BB27
, 4K024BB28
, 4K024BC10
, 4K024CB06
, 4K024CB08
, 4K024CB09
, 4K024CB24
, 4K024DA10
, 4K024FA05
, 4K024GA16
, 5E343AA22
, 5E343AA24
, 5E343AA35
, 5E343DD33
, 5E343DD44
, 5E343GG11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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超微細加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-281518
Applicant:セイコー電子工業株式会社
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微細加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-074733
Applicant:セイコー電子工業株式会社
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磁気光学薄膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-349672
Applicant:三菱電線工業株式会社
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微小構造体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-154515
Applicant:ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト
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特開昭63-007394
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