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J-GLOBAL ID：200903005092868629

磁気抵抗効果素子およびその製造方法

Inventor：
福澤 英明

About 福澤 英明

, 
湯浅 裕美

About 湯浅 裕美

, 
藤 慶彦

About 藤 慶彦

, 
岩崎 仁志

About 岩崎 仁志


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (4)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005368463
Publication number (International publication number)：2007173476
Application date： Dec. 21, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1の磁性層14、スペーサ層16、およびイオン、プラズマ、または熱で処理される被処理層を有する第2の磁性層18を順に形成する。第2の磁性層をイオン等で応力調整処理することで電流狭窄部での膜残留応力を低下させ、磁気抵抗効果素子の信頼性の向上を図る。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の磁性層を形成するステップと、 前記形成される第1の磁性層上に、絶縁層と、この絶縁層の層方向に貫通する電流を通過させる導電層と、を有するスペーサ層を形成するステップと、 前記形成されたスペーサ層上に、イオン、プラズマ、または熱でその全部または一部が処理される第2の磁性層を形成するステップと、 を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (6)：
H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08
FI (5)：
H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R ,  H01L43/08 Z
F-Term (60)：
2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD64 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119DD04 ,  4M119DD09 ,  4M119DD15 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  5D034BA03 ,  5D034BB08 ,  5D034DA07 ,  5F092AA08 ,  5F092AB03 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB15 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB32 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BC22 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA02 ,  5F092CA25 ,  5F092CA40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

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