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J-GLOBAL ID：200903095371577234

磁気メモリ

Inventor： 相 川 尚 徳 ,  上 田 知 正 ,  岸 達 也 ,  梶 山 健 ,  浅 尾 吉 昭 ,  與 田 博 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003402891
Publication number (International publication number)：2005166896
Application date： Dec. 02, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】 書き込み特性のばらつきがなく書き込み電流を低電流化することを可能にする。【解決手段】 磁化の向きが固着された磁化固着層6d、磁化の向きが可変の記憶層6b、および磁化固着層と記憶層との間に設けられたトンネルバリア層6cを有する磁気抵抗効果素子6と、磁気抵抗効果素子に電気的に接続され、記憶層の磁化容易軸方向と直交する方向に延在した第1配線層4と、を備え、磁化容易軸方向に直交する磁気抵抗効果素子の端面と、磁化容易軸方向に直交する第1配線層の端面が同一平面上にある。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

磁化の向きが固着された磁化固着層、磁化の向きが可変の記憶層、および前記磁化固着層と前記記憶層との間に設けられたトンネルバリア層を有する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子に電気的に接続され、前記記憶層の磁化容易軸方向と直交する方向に延在した第1配線層と、 を備え、前記磁化容易軸方向に直交する前記磁気抵抗効果素子の端面と、前記磁化容易軸方向に直交する前記第1配線層の端面が同一平面上にあることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (2)：

H01L27/105 ,  G11C11/22

FI (2)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/22 501A

F-Term (9)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5,659,499号明細書
  
• 米国特許第5,956,267号明細書
  

Cited by examiner (5)

• 磁気ランダムアクセスメモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-058098   Applicant：富士通株式会社
• センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-018564   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-007877   Applicant：株式会社東芝
• 上部導体にクラッド層を形成するための方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-060538   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-254074   Applicant：株式会社東芝