磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：松山允之 , 日向寺雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002263251
Publication number (International publication number)：2004006589
Application date： Sep. 09, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、MR変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、前記第1及び第2の磁性層間に形成された非磁性中間層と、前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面一様に形成された平均厚さ3ナノメートル以下で、酸化物、窒化物、酸窒化物、リン化物、あるいはフッ化物を有する薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜、及び前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01L27/105 , H01L43/10

FI (6)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11B5/39 , H01F10/16 , H01L43/10 , H01L27/10 447

F-Term (22)：

5D034BA02 , 5D034BA03 , 5D034BA21 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-057908 Applicant：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-340637 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗効果センサ積層体および磁気抵抗効果再生ヘッド、ならびにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-270687 Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド

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