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J-GLOBAL ID:200903005096337059

薄膜の処理方法、結晶性薄膜、結晶性酸化チタンフィルム、光触媒フィルム、色素増感型太陽電池用半導体電極、及び薄膜の処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 重野 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003375807
Publication number (International publication number):2005139498
Application date: Nov. 05, 2003
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】基材上の薄膜を選択的にかつ効率的に加熱する。【解決手段】基材上の薄膜にマイクロ波を照射して加熱する。高分子フィルム上にマイクロ波の照射により加熱、結晶化された結晶性酸化チタン薄膜が形成されている結晶性酸化チタンフィルム。この結晶性酸化チタンフィルムを備える光触媒フィルム及び色素増感型太陽電池用半導体電極。基材上の薄膜にマイクロ波を照射すると、薄膜がマイクロ波を吸収し、薄膜のみを選択的かつ直接的に短時間で効率的に加熱することができる。このため、基材が耐熱性の低い高分子フィルムであっても短時間の加熱で基材上の薄膜の結晶化が可能となり、諸特性及び機能性に優れた結晶性薄膜を得ることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基材上に成膜した薄膜にマイクロ波を照射して加熱することを特徴とする薄膜の処理方法。
IPC (7):
C23C14/58 ,  B01J35/02 ,  C23C28/04 ,  C30B1/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00
FI (7):
C23C14/58 C ,  B01J35/02 J ,  C23C28/04 ,  C30B1/02 ,  H01L21/20 ,  H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (77):
4G047CA02 ,  4G047CB04 ,  4G047CB05 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069BB06A ,  4G069BB06B ,  4G069BC18A ,  4G069BC18B ,  4G069BC22A ,  4G069BC22B ,  4G069CA10 ,  4G069EA08 ,  4G069FB02 ,  4G069FB29 ,  4G077AA03 ,  4G077BB04 ,  4G077DA02 ,  4G077DA11 ,  4G077FE14 ,  4G077HA06 ,  4K029AA11 ,  4K029BA48 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029GA02 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  4K044AA01 ,  4K044AA12 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA11 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BC05 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA53 ,  5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA30 ,  5F051GA05 ,  5F052AA06 ,  5F052AA11 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052DB10 ,  5F052EA11 ,  5F052EA12 ,  5F052HA01 ,  5F052JA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20 ,  5H032HH08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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