半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997190303
Publication number (International publication number)：1999040803
Application date： Jul. 15, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を高めることができ、素子の信頼性の向上をはかる。【解決手段】半導体基板1上にシリコン及び酸素又は窒素の少なくとも一方を含むゲート絶縁膜3を形成する工程と、このゲート絶縁膜3中に最大元素濃度が1020個/cm3 以上で1021個/cm3 以下となるようにハロゲン元素を導入する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜がシリコン、酸素又は窒素の少なくとも一方及びハロゲン元素を含んで構成され、前記ゲート絶縁膜中のハロゲン元素の最大元素濃度が1020個/cm3 以上で1021個/cm3 以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-180671 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-192363
特開平2-159069

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