半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999362839
Publication number (International publication number)：2001177145
Application date： Dec. 21, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】選択成長で形成される半導体発光素子の発光効率を向上させる。【解決手段】サファイア基板11上に少なくとも一層はELOで成長が行われるGaN系層12〜14が積層形成されるが、その際用いられる選択成長マスク材層15に紫外光を可視光に変換する蛍光体が含ませられる。この蛍光体が紫外光を可視光に変換するため、中心発光型、UV発光型のいずれの発光素子においても紫外光と蛍光体との結合効率が向上する。パッシベーション膜21に蛍光体をさらに含ませるようにすることによりさらに効率が向上する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、前記絶縁基板の上に積層形成されたGaN系積層膜であって、その一つの層が紫外光を可視光に変換する蛍光体を含む選択成長マスク材層を用いて成長されたGaN系膜であるGaN系積層膜と、このGaN系積層膜の上に形成された、少なくとも紫外光成分を発光する活性層と、を積層構造として有する半導体発光素子。

F-Term (8)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041EE11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-237492 Applicant：株式会社東芝
GaN系半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-064360 Applicant：豊田合成株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社

Show all

Return to Previous Page