窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びHEMT用基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 阿部豊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003158143
Publication number (International publication number)：2004311913
Application date： Jun. 03, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】デバイス層側とGaN単結晶基板との電気絶縁性を確保でき、且つ、伝導性制御用のMgがデバイス層側に拡散することを抑制できる窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びHEMT用基板を提供すること。【解決手段】本発明の窒化物系半導体エピタキシャル基板は、GaN単結晶基板10と、GaN単結晶基板の一側にエピタキシャル成長させられた、MgがドープされたAlxGayIn1-x-yN(y>0)からなる第1層13と、第1層の一側にエピタキシャル成長させられた、アンドープの絶縁性のAlxGayIn1-x-yN(y>0)からなる第2層14と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

GaN単結晶基板と、前記GaN単結晶基板の一側にエピタキシャル成長させられた、MgがドープされたAlxGayIn1-x-yN(y>0)からなる第1層と、前記第1層の一側にエピタキシャル成長させられた、アンドープの絶縁性のAlxGayIn1-x-yN(y>0)からなる第2層と、を備えることを特徴とする窒化物系半導体エピタキシャル基板。

IPC (7)：

H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/201 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (4)：

H01L21/205 , H01L29/201 , H01L29/80 H , H01L29/72 H

F-Term (34)：

5F003BB04 , 5F003BE04 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F003BZ03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045BB06 , 5F045BB16 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045DA66 , 5F045HA06 , 5F045HA22 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-241581 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-364203 Applicant：株式会社東芝
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-248484 Applicant：株式会社東芝

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