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J-GLOBAL ID：200903023144554766

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor：
山田 孝夫

About 山田 孝夫


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001225826
Publication number (International publication number)：2003037076
Application date： Jul. 26, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ドーパント濃度の制御の容易な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 反応器内に配置された基板上にガリウムのハロゲン化物含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、少なくとも炭素と水素とを含む化合物を、反応器内に気体状態で供給するとともに、ドーパントの原料ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングする。
Claim (excerpt)：
反応器内に配置された基板上にガリウムのハロゲン化物含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、前記基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、少なくとも炭素と水素とを含む化合物を、前記反応器内に気体状態で供給するとともに、ドーパントの原料ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
F-Term (19)：
4K030AA02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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