半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999328397
Publication number (International publication number)：2001015860
Application date： Nov. 18, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】III-V化合物半導体レーザの横モード制御を容易にし、ビーム形状の縦横比を改善し、さらに、AlN 層の成長やパターニングによるダメージを減らす。【解決手段】n型クラッド層又はp型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層内もしくは前記少なくとも一方のクラッド層と活性層の間に、厚さ0〜300nmのAlN からなる横モード制御層を設けた。また、基板上にマスク層を形成し、それを覆うようにAlN 層を形成した後、前記マスク層をエッチングできる溶液を用いてAlN 層をリフトオフする。

Claim (excerpt)：

一導電型クラッド層と反対導電型クラッド層に挟まれてIII 族窒化物よりなる活性層と、前記一導電型クラッド層若しくは前記反対導電型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層内、又は前記一導電型クラッド層若しくは前記反対導電型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層と活性層との間に形成されて、電流用開口部を有し、且つ0より大きく300nm以下の厚さを有するAlN からなる横モード制御層とを有することを特徴とする半導体発光装置。

F-Term (10)：

5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073EA06 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235011 Applicant：ローム株式会社
半導体レーザ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299543 Applicant：株式会社リコー
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-097417 Applicant：三菱電機株式会社

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半導体レーザ
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