酸素負イオンビーム注入方法及び注入装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998163521
Publication number (International publication number)：1999354067
Application date： Jun. 11, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 Si、SiGe、GaAsなどの半導体、PZTなどの絶縁体、金属基板に一定深さに酸素イオンを注入し酸化層を設ける場合、質量分離マグネットなどが不要で走査機構も不要な酸素イオン注入方法を提供すること。【解決手段】 Si、SiGe、GaAs、PZT、金属などの対象物基板を酸素プラズマ室の内部に入れ、酸素プラズマと接触させ、対象物基板に正のバイアス電圧をパルス的に印加して、プラズマ中の酸素負イオンO-を基板に注入する。

Claim (excerpt)：

半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板に酸素イオンを注入し所定の深さに酸化層を形成する方法であって、プラズマ室にプラズマ生成手段によって酸素を含むプラズマを発生し、基板直径より広い範囲の孔分布を有する複数枚の多孔電極板からなる引出電極系によってプラズマから酸素負イオンビームを引き出し、半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板に酸素負イオンを所定の深さまで注入する事を特徴とする酸素負イオンビーム注入方法。

IPC (5)：

H01J 37/317 , H01J 27/02 , H01J 37/08 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (7)：

H01J 37/317 Z , H01J 27/02 , H01J 37/08 , H01L 27/12 B , H01L 21/265 J , H01L 21/265 F , H01L 21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

中性粒子線源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-260261 Applicant：株式会社荏原製作所
特開平1-241737
電子ビーム励起負イオン源及び負イオン発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-291061 Applicant：理化学研究所, 川崎重工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

RFプラズマスパッタ型負重イオン源からの酸素及びフッ素負イオン引き出し特性

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