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J-GLOBAL ID：200903005575082359

磁気記憶装置

Inventor： 高橋 茂樹 ,  斉藤 好昭 ,  上田 知正 ,  與田 博明 ,  天野 実 ,  岸 達也 ,  西山 勝哉 ,  浅尾 吉昭 ,  岩田 佳久
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002097889
Publication number (International publication number)：2003298025
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 素子を微細化しても、スイッチング磁界の増大を防止でき、かつ安定な記憶保持動作を実現できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 温度によってスイッチング磁界が変化する強磁性体で形成され外部磁界により磁化方向が変化する記録層、絶縁層、および強磁性体で形成された磁化固着層を含む接合を持つトンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗効果素子の記録層に積層された温度制御層と、前記トンネル磁気抵抗効果素子に書き込み用の電流磁界を与える、互いに交差する方向に配置されたビット線およびディジット線とを有し、前記トンネル磁気抵抗効果素子への書き込み時に、読み出し時よりも大きい電流が通電される磁気記憶装置。

Claim (excerpt)：

温度によってスイッチング磁界が変化する強磁性体で形成され外部磁界により磁化方向が変化する記録層、絶縁層、および強磁性体で形成された磁化固着層を含む接合を持つトンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗効果素子に書き込み用の電流磁界を与える、互いに交差する方向に配置されたビット線およびディジット線と、前記ビット線と前記トンネル磁気抵抗効果素子との間、または前記ディジット線と前記トンネル磁気抵抗効果素子との間に設けられた温度制御層とを有することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 140 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 140 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30 ,  5F083JA24 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 強磁性体メモリの熱補助駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-250200   Applicant：キヤノン株式会社
• 熱を利用した切替えを実行する情報記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-384427   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 磁気メモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084554   Applicant：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
• 磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301614   Applicant：山崎陽太郎, ティーディーケイ株式会社
• 特開平4-023293