Pat
J-GLOBAL ID：200903005579946935

低速陽電子ビーム装置

Inventor：
大平 俊行

About 大平 俊行

, 
村松 誠

About 村松 誠


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004253129
Publication number (International publication number)：2006071365
Application date： Aug. 31, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
【課題】タングステンを減速材として用いた場合と同等又はそれ以上のビーム強度を有し、かつエネルギー分布の幅が狭い低速陽電子ビームを発生することができるタングステンに替わる減速材を用いた陽電子ビーム装置を提供する。【解決手段】結晶化されたニッケルメッシュを減速材2として用いる。ニッケルメッシュは、直径1μm以上100μmニッケル単線からなることが好ましく、ニッケル単線は、酸溶液によるエッチングで線径を細くしたものであることが更に好ましい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
結晶化されたニッケルメッシュを減速材として用いることを特徴とする低速陽電子ビーム装置。
IPC (4)：
G21K 1/00 ,  G21K 5/04 ,  H01J 49/08 ,  H01J 49/44
FI (4)：
G21K1/00 E ,  G21K5/04 E ,  H01J49/08 ,  H01J49/44
F-Term (13)：
2G001AA03 ,  2G001AA09 ,  2G001AA20 ,  2G001BA09 ,  2G001BA28 ,  2G001BA30 ,  2G001CA02 ,  2G001CA03 ,  2G001CA10 ,  2G001DA06 ,  2G001EA05 ,  2G001PA07 ,  5C038KK02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM