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J-GLOBAL ID：200903005642153134

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor：
奥 保成

About 奥 保成

, 
亀井 英徳

About 亀井 英徳


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999132269
Publication number (International publication number)：2000323752
Application date： May. 13, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用いた半導体発光素子において、主発光面からの発光出力を改善することができる新規な構造を提供することを目的とする。【解決手段】 n型のGaNからなる基板1上に少なくともInを含む活性層3とp型クラッド層5とをこの順に積層させてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、基板1と活性層3との間に、p型不純物がドープされることにより半絶縁性とされた中間層2を有する構成とすることによって、電流を活性層3全体に均一に注入し、活性層3からの均一な発光を得ることができる。
Claim (excerpt)：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板上に少なくともインジウムを含む活性層とp型クラッド層とを順に積層させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記基板と活性層との間に半絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体からなる中間層を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
F-Term (32)：
5F041AA04 ,  5F041AA42 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F041DB07 ,  5F041DB09 ,  5F041FF01 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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