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J-GLOBAL ID：200903031760628245

窒化物半導体発光素子

Inventor： 向井 孝志 ,  成松 宏記 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998227609
Publication number (International publication number)：1999112109
Application date： Jul. 27, 1998
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来例に比較して発光出力が大きくかつ発光出力の温度依存性が小さい黄色又は琥珀色発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に、InGaN井戸層からなる活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、活性層とn型窒化物半導体層との間にアンドープGaN層を形成し、かつ井戸層におけるInとGaの比率を発光色が黄色又は琥珀色になるように設定した。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に、InGaN井戸層からなる活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、上記活性層と上記n型窒化物半導体層との間にアンドープ窒化物半導体層を形成し、かつ上記活性層におけるInとGaの比率を発光色が黄色又は琥珀色になるように設定したことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 窒化物系半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-037990   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-257817   Applicant：豊田合成株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-236845   Applicant：住友化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-322911   Applicant：住友化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体と発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-046785   Applicant：住友化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-180170   Applicant：住友化学工業株式会社
• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221816   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Superbright Green InGaN Single-Quantum-Well-Structure Light -Emitting Diodes