Pat
J-GLOBAL ID:200903005676621714
側面発光半導体発光装置およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山田 義人 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000122255
Publication number (International publication number):2001308389
Application date: Apr. 24, 2000
Publication date: Nov. 02, 2001
Summary:
【要約】【構成】 側面発光半導体発光装置10は基板12を含み、基板12には不透光性および反射性を有する樹脂で形成されたケース14が設けられる。また、基板12とケース14との間には、透光性樹脂16が充填される。基板12の表面には電極18aおよび18bが形成され、この電極18aおよび18bにLEDチップがボンディングされる。この側面発光半導体発光装置10の発光面は、透光性樹脂16で形成された面16a、面16bおよび面16bと並行でありかつ面16aに連続する面で形成される。また、この発光面は粗面で形成される。このため、LEDチップから出力される光およびケース14で反射した光は発光面で散乱される。【効果】 発光領域を拡大することができる。
Claim (excerpt):
LEDチップを基板上の電極にボンディングした側面発光半導体発光装置において、前記基板に対して垂直に設けられた発光面を粗面で形成したことを特徴とする、側面発光半導体発光装置。
IPC (3):
H01L 33/00
, H01L 21/56
, H01L 23/28
FI (3):
H01L 33/00 N
, H01L 21/56 R
, H01L 23/28 D
F-Term (20):
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109DB15
, 4M109GA01
, 5F041AA03
, 5F041AA14
, 5F041CA14
, 5F041CA76
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041DA55
, 5F041DA75
, 5F041EE23
, 5F041FF11
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CB13
, 5F061FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
側面発光型の半導体発光素子を製造する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-116305
Applicant:ローム株式会社
-
半導体端面発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-108557
Applicant:旭硝子株式会社
-
サイド発光型チップLED
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-279594
Applicant:シャープ株式会社
-
磁気ヘツド装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-168529
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-233878
Applicant:富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
-
ブラシレスモータ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-276622
Applicant:株式会社ゼクセル
-
表示素子用基板およびその製造方法並びにその製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-205045
Applicant:シャープ株式会社
Show all
Return to Previous Page