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J-GLOBAL ID：200903016602787370

表示素子用基板およびその製造方法並びにその製造装置

Inventor：
寺下 慎一

About 寺下 慎一

, 
山岸 慎治

About 山岸 慎治


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996205045
Publication number (International publication number)：1998048586
Application date： Aug. 02, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 膜同士の密着性に優れる信頼性の高い表示素子用基板を提供する。【解決手段】 絶縁性基板11上に、ゲート電極12、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜13、半導体層14、チャネル保護層15、ソース電極16aおよびドレイン電極16bとなるn+ Si層を順に積層することでTFT4を形成する。次いで、上記ソース電極16aおよびドレイン電極16bの端部に、透明導電膜17・17’および金属層18・18’を形成する。その後、上記各膜が積層された絶縁性基板11を真空紫外線により洗浄処理した後、さらに層間絶縁膜19、画素電極1を順に積層することにより、真空紫外線処理された膜と、該真空紫外線処理された膜に隣接する膜との密着性に優れる表示素子用基板を得ることができる。
Claim (excerpt)：
真空紫外線で処理された処理表面を有する第1の膜上に第2の膜が積層されていることを特徴とする表示素子用基板。
IPC (5)：
G02F 1/13 101 ,  B08B 11/04 ,  G02B 1/10 ,  G02B 1/12 ,  G02F 1/1333 500
FI (5)：
G02F 1/13 101 ,  B08B 11/04 ,  G02B 1/12 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02B 1/10 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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