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J-GLOBAL ID：200903005693805683

無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス

Inventor： 梅田 賢一 ,  平井 博幸 ,  田中 淳 ,  幸田 勝博 ,  東 耕平 ,  砂川 寛
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008320678
Publication number (International publication number)：2009167087
Application date： Dec. 17, 2008
Publication date： Jul. 30, 2009
Summary：

【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板11上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子20を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子20を含む非単結晶膜12を成膜し、この非単結晶膜12が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜12を加熱し、無機結晶粒子20の一部を結晶核として非単結晶膜12を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜1を製造する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により前記無機結晶粒子を含む非単結晶膜を成膜する工程(A)と、 該非単結晶膜が結晶化する温度以上の条件で、該非単結晶膜を加熱し、前記無機結晶粒子の一部を結晶核として前記非単結晶膜を結晶化させる工程(B)と順次実施することを特徴とする無機結晶性配向膜の製造方法。

IPC (7)：

C30B 1/04 ,  C30B 29/22 ,  C04B 35/00 ,  H01L 21/368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20

FI (9)：

C30B1/04 ,  C30B29/22 ,  C04B35/00 J ,  H01L21/368 Z ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/20

F-Term (71)：

4G030AA07 ,  4G030AA27 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030BA01 ,  4G030CA01 ,  4G030CA02 ,  4G030CA08 ,  4G030GA10 ,  4G030GA20 ,  4G030GA27 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BC60 ,  4G077CA03 ,  4G077EC04 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA06 ,  4G077JA03 ,  4G077JA06 ,  4G077JB07 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH02 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F053RR20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP31 ,  5F152AA07 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CE01 ,  5F152CE18 ,  5F152CE44 ,  5F152EE14 ,  5F152FF03 ,  5F152FF11 ,  5F152FF13 ,  5F152FF15 ,  5F152FF20 ,  5F152FF22 ,  5F152FG03 ,  5F152FG08 ,  5F152FH01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• LiNbO3の配向膜を有する複合結晶体およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-177608   Applicant：株式会社リコー
• 強誘電体層の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-264908   Applicant：旭硝子株式会社
• 電気抵抗膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-135250   Applicant：ホーヤ株式会社
• 光磁気メモリの製造方法、およびその方法により製造された光磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-084571   Applicant：日本放送協会
• レーザパルス発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-038816   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Cited by examiner (4)

• 強誘電体層の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-264908   Applicant：旭硝子株式会社
• 電気抵抗膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-135250   Applicant：ホーヤ株式会社
• 光磁気メモリの製造方法、およびその方法により製造された光磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-084571   Applicant：日本放送協会
• レーザパルス発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-038816   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• "Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor"

Cited by examiner (1)

• "Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor"