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J-GLOBAL ID：200903005935986157

トランジスタとその製造方法、及びダイオード

Inventor： 黒崎 徹 ,  宍戸 寛明 ,  北田 瑞枝 ,  九里 伸治 ,  大島 宏介
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Agent (2)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003132503
Publication number (International publication number)：2004064051
Application date： May. 12, 2003
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】MOSFETやダイオードの破壊耐量を向上させる技術に関する。【解決手段】本発明のトランジスタ1では、ガードリング部251〜253の高さが埋め込み部26a、26bの高さより高くした。特に、ガードリング部251〜253の上部を絶縁膜43の内部にまで伸ばすと、ガードリング部251〜253の耐圧の方が埋め込み部26a、26bの耐圧よりも高い。従って、ブレークダウンは活性領域で起こり、ブレークダウン電流は大面積の活性領域内を流れるので、電流集中が生じず、素子の破壊耐量が高くなっている。ダイオードに設けるガードリング部でも、同様に、上部を絶縁膜の中まで伸ばすことができる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

片面に第一導電型のドレイン層が配置された処理基板と、 前記処理基板の前記ドレイン層側に設けられた第一の深穴と、 前記複数の第一の深穴を同心状に取り囲むように配置されたリング状の複数の第二の深穴と、 前記第一の深穴の側面の少なくとも一部に配置されたゲート絶縁膜と、 前記第一の深穴内に配置され、前記ゲート絶縁膜と接触されたゲート電極プラグと、 前記ドレイン層の内部の前記ゲート絶縁膜と接触する位置に設けられ、底面が前記第一の深穴よりも浅い第二導電型のベース領域と、 前記ベース領域の内部の表面側であって、前記ゲート絶縁膜と接触する位置に設けられ、前記ベース領域によって前記ドレイン領域とは非接触の第一導電型のソース領域とを有し、 前記ゲート電極プラグに電圧を印加し、前記ベース領域の前記ゲート絶縁膜と接する部分を第一導電型に反転させて反転層を形成すると、前記ソース領域と前記ベース領域の底面下に位置する前記ドレイン層とが前記反転層によって接続されるように構成されたトランジスタであって、 前記第二の深穴内には、第二導電型の充填領域が配置されたトランジスタ。

IPC (4)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (5)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/48 F

F-Term (13)：

4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF01 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-097554   Applicant：新電元工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-231511   Applicant：新電元工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-193415   Applicant：株式会社東芝
• 特開平1-272152