窒化物半導体デバイス及びその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007105917
Publication number (International publication number)：2008072083
Application date： Apr. 13, 2007
Publication date： Mar. 27, 2008
Summary：

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ヘテロ接合に形成されたチャンネルを用いる窒化物半導体デバイスにおいて、低抵抗の電極を形成することである。【解決手段】窒化物半導体デバイスにおいて、窒化物半導体表面より小さな穴を通してヘテロ接合に形成されるチャンネルに接する電極構造を形成することによって解決される。また上記電極構造は、電子ビーム蒸着法により粒子状の金属をチャンネルに至るまで導入することにより形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

キャリアが走行するチャンネルが形成される第1の窒化物半導体及び第1の窒化物半導体とヘテロ接合を構成する第2の窒化物半導体とを備えた窒化物半導体デバイスであって、半導体表面から上記チャンネルまで到達する複数の穴を有し、その穴の側面でチャンネルに接触する電極構造を含む窒化物半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 29/778

FI (4)：

H01L29/80 F , H01L21/28 301B , H01L29/44 L , H01L29/80 H

F-Term (32)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 4M104HH15 , 5F102FA03 , 5F102FA08 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC16 , 5F102HC19 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-161677
窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-014696 Applicant：沖電気工業株式会社
高電子移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-243808 Applicant：株式会社デンソー

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