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J-GLOBAL ID：200903016477340139

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
神田 敦彦

About 神田 敦彦

, 
村田 智洋

About 村田 智洋

, 
廣瀬 裕

About 廣瀬 裕

, 
上本 康裕

About 上本 康裕

, 
田中 毅

About 田中 毅


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (6)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003363121
Publication number (International publication number)：2005129696
Application date： Oct. 23, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：
【課題】 III-V族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。 【解決手段】 半導体装置(HFET)は、SiC基板11上にバッファ層12を介在させて形成された第1の窒化物半導体層13と、該第1の窒化物半導体層13の上に形成され、該第1の窒化物半導体層13の上部に2次元電子ガス層を生成する第2の窒化物半導体層14と、該第2の窒化物半導体層14の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極16、17とを有している。第2の窒化物半導体層14は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部14aを有し、オーム性を持つ電極16、17はコンタクト部14aに形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、該第1の窒化物半導体層の上部に2次元電子ガス層を生成する組成を有する第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極とを備え、 前記第2の窒化物半導体層は、底面又は壁面が前記第1の窒化物半導体層の上面に対して傾斜した少なくとも1つの傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部を有し、 前記電極は前記コンタクト部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L21/338 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01S5/042
FI (3)：
H01L29/80 H ,  H01S5/042 614 ,  H01L29/72 H
F-Term (37)：
5F003BA92 ,  5F003BB01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GL02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR00 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC18 ,  5F102HC19 ,  5F102HC29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • GaN系半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-246113   Applicant：古河電気工業株式会社
Cited by examiner (20)
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