ショットキー障壁トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003435892
Publication number (International publication number)：2004319963
Application date： Dec. 26, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】選択的なウェットエッチングの難しさ及びエッチングダメージが除去できて最適の電気的特性を得ること。【解決手段】基板上1に、ゲート絶縁膜30とゲート60aとゲート側壁のスペーサ80aを形成した後、選択的シリコン成長を適用してゲート上部に多結晶シリコン層100を成長させ、基板上1には単結晶シリコン層を成長させるショットキー障壁トランジスタの製造方法である。多結晶シリコン層100及び単結晶シリコン層上に金属を蒸着した後、多結晶シリコン層及び単結晶シリコン層と金属とを反応させて自己整列的にシリサイド120aを形成する。このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にゲート絶縁膜を介在して形成されたゲートと、前記ゲート両側の上部エッジと離隔されて形成されたスペーサと、前記ゲート両側基板に形成されたエレベーテッドシリサイドソース/ドレインと、前記スペーサ上に前記ゲート両側の上部エッジと前記ゲート上部とを取り囲む多結晶シリコン層とを備えたことを特徴とするショットキー障壁トランジスタ。

IPC (5)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872

FI (8)：

H01L29/78 617J , H01L29/48 F , H01L29/78 301S , H01L29/78 301P , H01L29/78 301J , H01L29/78 616M , H01L29/78 616T , H01L29/78 617L

F-Term (111)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB39 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF04 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE32 , 5F110EE33 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK13 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK37 , 5F110HK40 , 5F110HM02 , 5F110HM07 , 5F110QQ11 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA13 , 5F140AA21 , 5F140AA26 , 5F140AA40 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BF42 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG29 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG49 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG56 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ30 , 5F140BK09 , 5F140BK18 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CF03 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336044 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-029178 Applicant：日本電気株式会社
極薄先端を有する新規のトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-520543 Applicant：インテル・コーポレーション

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