実験チップ及び実験チップの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松浦孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003009504
Publication number (International publication number)：2004219370
Application date： Jan. 17, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】半導体基板を用いて実験チップを製造する。【解決手段】シリコン基板20の表面にエッチングによりキャピラリチャンネル及びリザーバ12A、12Bとなる溝22を形成する。溝22が形成されたシリコン基板20の表面にスパッタリングによりSiO2の薄膜層23を形成する。溝22のうちリザーバ12A、12Bの底面に対応する位置にAuの薄膜電極14A、14Bを形成する。リザーバの開口部を除くチップ表面及び溝22のうちキャピラリチャンネルの上部に対応する領域25CにSiO2の薄膜層25を形成する。チップ表面のリザーバ開口部に隣接してAu薄膜電極15A、15Bを形成する。Au薄膜電極14A、15Aと14B、15Bをボンディングワイヤで接続する。【選択図】図12

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成される実験チップであって、前記半導体基板の表面に流路を形成するために形成される溝と、前記溝を絶縁体で被膜し前記流路を形成する下部薄膜層と、前記流路の上部を覆い、赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過する二酸化珪素またはシリコンナイトライドからなる上部薄膜層とを備えることを特徴とする実験チップ。

IPC (3)：

G01N27/447 , G01N27/30 , G01N37/00

FI (5)：

G01N27/26 301C , G01N27/30 B , G01N37/00 101 , G01N27/26 331E , G01N27/26 331K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

電気泳動部材およびそれを用いた電気泳動装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-236706 Applicant：株式会社島津製作所
管形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-104826 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
電気泳動用チップとその製造方法、該電気泳動用チップを用いた電気泳動装置及び荷電性物質の分離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-093452 Applicant：日立化成工業株式会社

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