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J-GLOBAL ID：200903006250670455

窒化物半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： 平野 光 ,  シリル ペルノー ,  天野 浩 ,  赤崎 勇 ,  田村 至
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999101217
Publication number (International publication number)：2000294824
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 p-Alx Ga1-x N層に良好なオーミック接触の電極を形成可能な半導体素子構造を有する窒化物半導体デバイス、受光素子、火炎センサを提供する。【解決手段】 p-Alx Ga1-x N層(x>0)からなるp型半導体層1を有し、p型半導体層1は、その表面近傍部分に、表面近傍部分の下層側より不純物濃度が高く、その不純物としてBeを少なくとも含む高不純物濃度層7を形成してなり、その高不純物濃度層7の表面に金属電極8が形成されている。また、更に好ましくは、高不純物濃度層7の不純物濃度が1018cm-3以上である。

Claim (excerpt)：

p-Alx Ga1-x N層(x>0)からなるp型半導体層を含む窒化物半導体デバイスであって、前記p型半導体層は、その表面近傍部分に、前記表面近傍部分の下層側より不純物濃度が高く、その不純物としてBeを少なくとも含む高不純物濃度層を形成してなり、その高不純物濃度層表面に金属電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体デバイス。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/0248

FI (3)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/28 301 G ,  H01L 31/08 H

F-Term (45)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA12 ,  5F049MA14 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA12 ,  5F049NB07 ,  5F049PA03 ,  5F049PA04 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049QA18 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AA08 ,  5F088AA09 ,  5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088BB06 ,  5F088CB09 ,  5F088CB10 ,  5F088CB11 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088LA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 火炎センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-096385   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 短波長光の検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-350343   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202476   Applicant：ローム株式会社