Pat
J-GLOBAL ID:200903006264646727

炭素ナノチューブの連続的な表面処理方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 梶 良之 ,  須原 誠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009127417
Publication number (International publication number):2009286687
Application date: May. 27, 2009
Publication date: Dec. 10, 2009
Summary:
【課題】本発明は、炭素ナノチューブの連続的な表面処理方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明は、連続的な表面処理装置を用いて、酸化剤を含む炭素ナノチューブ混合液の注入された50ないし400atmの亜臨界水又は超臨界水の条件の表面処理反応槽に、一つ以上の官能基を有する機能性化合物を50ないし400atmの圧力及び100ないし600°Cの温度で注入して表面処理生成物を得ることを特徴として、炭素ナノチューブに機能性化合物の官能基が容易に導入されて、炭素ナノチューブの表面処理効果が上昇し、それによる分散性が向上する炭素ナノチューブの連続的な表面処理方法及び装置を提供する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
酸化剤を含む炭素ナノチューブ混合液の注入された50ないし400atmの亜臨界水又は超臨界水の条件の表面処理反応槽に、一つ以上の官能基を有する機能性化合物を50ないし400atmの圧力及び100ないし600°Cの温度で注入して表面処理生成物を得ることを特徴とする炭素ナノチューブの連続的な表面処理方法。
IPC (1):
C01B 31/02
FI (1):
C01B31/02 101F
F-Term (4):
4G146AA11 ,  4G146AC16B ,  4G146CB22 ,  4G146DA40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page