Pat
J-GLOBAL ID：200903006270678150

半導体発光素子、それを使用した表示装置および光学式情報再生装置、並びに半導体発光素子の製造方法

Inventor：
山崎 幸生

About 山崎 幸生

, 
伊藤 茂稔

About 伊藤 茂稔


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000171342
Publication number (International publication number)：2001144326
Application date： Jun. 07, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：
【要約】【課題】光取り出し効率に優れている。【解決手段】サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、n型GaNコンタク層13、n型InGaN量子井戸活性層14、p型AlGaN昇華防止層15、p型GaNコンタクト層16が順次積層されており、量子井戸活性層14は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。量子井戸活性層の端面から外部に出射される自然放出光は、サファイア基板11の基板面に平行な方向に偏光している。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体によって構成されて、基板上に積層された第1導電型層と、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有し、Al<SB>P</SB>Ga<SB>Q</SB>In<SB>1-P-Q</SB>N(ただし、0≦P、0≦Q、P+Q<1)によって構成されて、この第1導電型層上に積層された量子井戸活性層と、窒化物半導体によって構成されて、この量子井戸活性層上に積層された第2導電型層と、を具備し、前記量子井戸活性層の端面から外部に出射される自然放出光が、前記基板に平行な方向に偏光していることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/343
F-Term (25)：
5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119NA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA27 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM