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J-GLOBAL ID：200903081338214966

埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法

Inventor： アレサンドロ・ジー・シュロット ,  ジェームズ・エイ・ミセヴィッチ ,  ブルース・エイ・スコット
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000065312
Publication number (International publication number)：2000294796
Application date： Mar. 09, 2000
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 埋込みモット絶縁酸化物チャネルを有するFETの構造、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 埋込みモット絶縁酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタの構造およびこれを形成する方法は、基板の上にソース電極およびドレイン電極を堆積させること、基板および電極の上にモット転移チャネル層を形成すること、モット転移チャネル層の上に絶縁体層を形成すること、絶縁体層を介してソース・コンタクトおよびドレイン・コンタクトを形成する(ソース・コンタクトおよびドレイン・コンタクトがモット転移チャネル層に電気的に接続されるようにする)こと、ならびにソース・コンタクトとドレイン・コンタクトの間の絶縁体層の上にゲート電極を形成することを含む。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタ・チップを製造する方法であって、基板の上にモット転移チャネル層を形成するステップと、前記モット転移チャネル層の上に絶縁体層を形成するステップと、前記絶縁体層を介して、ソース・コンタクトおよびドレイン・コンタクトを、前記モット転移チャネル層と電気的に接触するように形成するステップと、前記ソース・コンタクトとドレイン・コンタクトの間の前記絶縁体層の上にゲート電極を形成するステップとを含む方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 超電導トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-126836   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-079081
  
• 透明電極を備えた光学装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154130   Applicant：三洋電機株式会社
• 超電導膜の作製方法及び超電導トランジスタの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-128632   Applicant：沖電気工業株式会社
• 超電導デバイス及びその製造方法並びにそれを用いた超電導トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-285621   Applicant：三洋電機株式会社
• 電界効果素子用積層薄膜および該積層薄膜を用いた電界効果トランジスター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203396   Applicant：三菱化成株式会社