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J-GLOBAL ID：200903006325481785

平坦化された誘電層を半導体基板上に堆積させるための方法及び装置

Inventor： ビークマン,ナット ,  キーマズ,アドライアン ,  マックラトシエ,サイモン ,  テイラー,マーク,フィリップ ,  ティムズ,ピーター,レズリー ,  モア,ダレン,リーロイ
Applicant, Patent owner： トリコン エクウィプメンツ リミテッド
Agent (1)： 新部 興治 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998510514
Publication number (International publication number)：2001504989
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： Apr. 10, 2001
Summary：

【要約】本発明は、半導体基板を処理するための方法及び装置に関する。方法は、主として、一般式RaSi(OH)b又はRaSiHb(OH)cの液状短鎖ポリマを基板上に形成することにより該基板を処理することを含む。ここで、それぞれa+b=4又はa+b+c=4、a、b及びcは整数、Riは炭素含有基でありSi-C結合が推定される。

Claim (excerpt)：

一般式RaSi(OH)b又はRaSiHb(OH)cの液状短鎖ポリマを基板上に堆積することを含み、それぞれa+b=4又はa+b+c=4、a、b 及びcは整数、Riは炭素含有基であり珪素-炭素結合が推定される、 ことを特徴とする半導体基板を処理するための方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-012410   Applicant：株式会社東芝
• 化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-157587   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-012411   Applicant：株式会社東芝
• 特公平7-093296