窒化炭素膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998132822
Publication number (International publication number)：1999323530
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】反応性の低い炭素と窒素の化合物合成を可能とし、高い密着力を有し耐摩耗性に優れた窒化炭素膜を形成てきる窒化炭素膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】窒素を含有するイオン照射20と炭素を含有するイオン照射20を同時に行うことにより、基材13上に炭素と窒素の膜状の化合物を形成させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

窒素を含有するイオン照射と炭素を含有するイオン照射を同時に行うことにより、基材上に炭素と窒素の膜状の化合物を形成させることを特徴とする窒化炭素膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 14/06 , C23C 14/32

FI (2)：

C23C 14/06 H , C23C 14/32 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

炭素-窒素化合物膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-085764 Applicant：藤本文範, 日新電機株式会社
特開平3-202468
特開平3-202468

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