CN薄膜の形成方法及びCN薄膜形成装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：石島茂男 (外1名) , 石島茂男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074928
Publication number (International publication number)：1999256334
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】CN薄膜を収率良く形成可能なCN薄膜形成方法及びCN薄膜形成装置を提供する。【解決手段】イオン源室2内に原料ガスを導入してイオン化し、イオン源室2からイオンビーム7として引き出す。このイオンビーム7に対し、イオン分離室30Aによって質量分析を行い、所定のイオン種だけを偏向室30Bに向けて射出させる。偏向室30Bにおいてイオンビーム7を偏向し、減速室5において減速した後に基板62に照射する。原料ガスとしては、イオン化した際の双極子モーメントが0.1debye以上となるものが好ましく、例えばメチルアミンを用いる。また、10eV〜10keVのエネルギーで当該原料ガスのイオンを照射することが好ましい。

Claim (excerpt)：

真空中で所定の原料ガスをイオン化し、当該原料ガスのイオンを低エネルギーで照射することにより成膜対象物上にCN薄膜を形成することを特徴とするCN薄膜の形成方法。

IPC (2)：

C23C 16/34 , C23C 14/06

FI (2)：

C23C 16/34 , C23C 14/06 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

化合物薄膜及びその形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-103312 Applicant：工業技術院長, 日本真空技術株式会社
イオンビームデポジシヨン装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-308487 Applicant：日本真空技術株式会社
質量分離型イオンビームデポジション装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-003277 Applicant：日本真空技術株式会社

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