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J-GLOBAL ID：200903006623903331

超薄膜キャパシタおよびDRAM

Inventor：
デニス・メルトン・ニュウンス

About デニス・メルトン・ニュウンス


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション


Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999195787
Publication number (International publication number)：2000058792
Application date： Jul. 09, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 DRAM用の超薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 キャパシタとこのようなキャパシタを有するDRAMは、導電性のドープされたペロブスカイト物質の第1の層2と、第1の層に接触する、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質の第2の層3と、導電性ペロブスカイト物質の第1および第2の層の間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層である空乏層1とを有する。
Claim (excerpt)：
ドープされたペロブスカイト物質よりなる第1の電極と、前記第1の電極と接触し、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質よりなる第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極との間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層をなす空乏層と、を含むキャパシタ。
IPC (7)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/92
FI (6)：
H01L 27/10 611 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/92 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/46
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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