堆積膜形成方法および堆積膜形成装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998221071
Publication number (International publication number)：2000038679
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、VHF周波数の高周波電力を用いて半導体膜を形成する場合の問題点を解決し、大面積にわたって高速に、高品質で優れた均一性を有し、欠陥の少ない優れた特性を有する堆積膜を形成することができる堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、成膜空間内に原料ガスを導入し、高周波電力を印加してプラズマCVD法により前記成膜空間内を移動する基板上に半導体膜を堆積する堆積膜形成方法または堆積膜形成装置において、前記高周波電力をVHF周波数の高周波電力とし、該高周波電力を前記基板移動方向に前記成膜空間内の複数箇所から印加し、前記基板上に半導体膜を堆積することを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

成膜空間内に原料ガスを導入し、高周波電力を印加してプラズマCVD法により前記成膜空間内を移動する基板上に半導体膜を堆積する堆積膜形成方法において、前記高周波電力をVHF周波数の高周波電力とし、該高周波電力を前記基板移動方向に前記成膜空間内の複数箇所から印加し、前記基板上に半導体膜を堆積することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/50 , C23C 16/54 , G03G 5/082 , H01L 21/205

FI (4)：

C23C 16/50 , C23C 16/54 , G03G 5/082 , H01L 21/205

F-Term (28)：

2H068DA23 , 2H068DA80 , 2H068EA25 , 2H068EA30 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030BA37 , 4K030BB04 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AE17 , 5F045AF10 , 5F045BB02 , 5F045BB12 , 5F045CA13 , 5F045DP22 , 5F045EH02 , 5F045EH04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プラズマCVD装置およびプラズマCVDによる堆積膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-239730 Applicant：キヤノン株式会社
プラズマCVD装置およびプラズマCVDによる堆積膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-068360 Applicant：キヤノン株式会社
堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-054182 Applicant：キヤノン株式会社

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