表面加工方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128445
Publication number (International publication number)：1999330048
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子の配線やゲート電極に用いられる金属と多結晶シリコンの多層膜を高精度、高選択に加工する方法を提供する。【解決手段】金属膜エッチング時に試料温度を100°C以上に保って処理し金属膜のエッチング速度を速める。さらに、多結晶シリコン膜のエッチング速度の抑制や、サイドエッチングを防止するために、ハロゲン元素を含むガスに酸素ガスを添加する。また、多結晶シリコン膜エッチング時のシリコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために、少なくとも金属膜エッチング条件と多結晶シリコン膜エッチング条件を分けて処理する。

Claim (excerpt)：

真空容器とその中にプラズマを発生させる手段、及び該プラズマにより表面加工される試料を設置する試料台と該試料台の温度を制御する温調機構及び、前記試料台に高周波電圧を印可するための電源からなる表面加工装置を用いて、半導体基板上に堆積された少なくとも金属膜と半導体膜からなる多層膜からなる試料の加工において、該金属膜加工時に試料温度を100°C以上に保つことを特徴とする表面加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 F , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-029018 Applicant：株式会社東芝
シリサイドの成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-147812 Applicant：ソニー株式会社
ウエハステージ、ウエハの温度調整方法及びドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-222035 Applicant：ソニー株式会社, 株式会社創造科学

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