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J-GLOBAL ID：200903007207682918

プラズマ処理装置

Inventor：
金森 順

About 金森 順


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996020842
Publication number (International publication number)：1997213684
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 エッチング特性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 高周波印加電極16a,16bと接地電極17を石英板3上に設けてなるプラズマ発生電極体4と、高周波印加電極16a,16bに高周波を印加する高周波電源5と、プラズマ発生電極体4と対向して配置されている被エッチング試料が載せられるバイアス印加電極22と、バイアス印加電極22に高周波を印加するバイアス印加電源26とを備え、絶縁材である石英板3を通してプラズマを発生するようにした。
Claim (excerpt)：
高周波印加電極と接地電極を絶縁材上に設けてなるプラズマ発生電極体と、前記高周波印加電極に高周波を印加する高周波電源と、前記プラズマ発生電極体と対向配置されている、被処理試料が載せられるバイアス印加電極と、前記バイアス印加電極に高周波を印加するバイアス印加電源とを備え、前記絶縁材を通してプラズマを発生することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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