半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002251674
Publication number (International publication number)：2004095670
Application date： Aug. 29, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】現在実用化されている小容量のSiC製ダイオードを用いて大きな電流容量の半導体装置を提供する。【解決手段】積層基板11上に、Si製半導体素子13と、Si製半導体素子13に接続され、互いに並列に接続された複数個のSiC製ダイオード15を実装した半導体装置。一つひとつのSiC製ダイオード15は小容量であってもこれを互いに並列に接続することで、Si製半導体素子13に対応した大電流を流すことができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si製半導体素子と、前記Si製半導体素子に接続されると共に、互いに並列に接続された複数個のSiC製ダイオードと、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L25/07 , H01L25/18

FI (1)：

H01L25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電力半導体モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-053301 Applicant：三菱電機株式会社
変換器回路、少なくとも1つのスイッチングデバイスを有する回路結合構成および回路モジュール
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-503774 Applicant：エービービーリサーチリミテッド
半導体装置及びそれを用いた電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-166330 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング

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