薄膜結晶化方法及び装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：大橋公治 , 林紘樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004242351
Publication number (International publication number)：2006060130
Application date： Aug. 23, 2004
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：

【課題】アモルファス薄膜を簡単な構成で短時間に結晶化できる薄膜結晶化装置を提供する。【解決手段】非結晶薄膜を溶融した後に再結晶化する薄膜結晶化装置に、絶縁体から成る細管34と、細管の一端にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス供給手段36と、細管34の周囲を囲むコイル33と、コイル33に高周波電力を供給する高周波電源31と、細管34の他端と非結晶薄膜51との対向位置、及び、細管34の他端と非結晶薄膜51との距離aを変える移動手段とを設け、細管34の他端に生成するマイクロプラズマジェット40を、大気中に配置された非結晶薄膜51に照射する。簡単な構成でありながら、非結晶薄膜を短時間で溶融することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

非結晶薄膜を溶融した後に再結晶化する薄膜結晶化方法において、細管に導入したプラズマ生成ガスを前記細管の先端から大気中に噴出させて前記細管の先端にマイクロプラズマジェットを生成し、前記マイクロプラズマジェットを大気中で非結晶薄膜に照射して前記非結晶薄膜を溶融することを特徴とする薄膜結晶化方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G

F-Term (14)：

5F052AA11 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F052JA09 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110PP01 , 5F110PP36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

多結晶シリコン膜及びその生産方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-084739 Applicant：白井肇, 株式会社日本製鋼所
熱プラズマアニール装置およびアニール方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-320477 Applicant：ティーディーケイ株式会社
特表平2-504046

Show all

Cited by examiner (5)

熱プラズマアニール装置およびアニール方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-320477 Applicant：ティーディーケイ株式会社
特表平2-504046
特開昭62-290120

Show all

Return to Previous Page