炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菊地精一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118817
Publication number (International publication number)：1998291899
Application date： Apr. 21, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥等がない高品質の炭化ケイ素単結晶を容易に製造する方法を提供すること。【解決手段】炭化ケイ素原料を昇華させ、種結晶上に導いて単結晶を析出させる際、昇華ガスを賦活化した黒鉛体に接触させた後か、又は原料より高温に保持されている黒鉛体に接触させた後に、昇華ガスを種結晶に導くことからなる。製造装置は、黒鉛ルツボ内に原料を収納する黒鉛カプセルが装填され、カプセルの蓋板又は底板を多孔質黒鉛体とし、蓋板の上方又は底板の下方に種結晶が配置され、そして黒鉛ルツボは減圧可能な反応管内に収められ、該反応管に加熱装置を備えた構成からなる。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素原料を昇華させ種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる際、炭化ケイ素原料からの昇華ガスを賦活化した多孔質黒鉛体に接触させた後、前記種結晶上に到達させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 23/00 , H01L 21/203

FI (3)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00 , H01L 21/203 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

SiC単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-258200 Applicant：三菱マテリアル株式会社
炭化ケイ素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-207794 Applicant：シャープ株式会社
炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-304901 Applicant：株式会社ブリヂストン

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