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J-GLOBAL ID：200903007527322081

処理装置及びドライクリーニング方法

Inventor： 波多野 達夫 ,  村上 誠志 ,  多田 國弘
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995023490
Publication number (International publication number)：1996115886
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 TiやTiNに最適なドライクリーニング法を提案する。【構成】 本発明によれば、TiやTiNのような金属物質又はその化合物に対するクリーニングガスとして、少なくとも三塩化窒素を含むガスを用いるので、クリーニング時には、反応生成物として塩化物が生成する。かかる塩化物は、TiやTiNをフッ素系のクリーニングガスにより処理した場合の反応生成物であるフッ化物よりも蒸気圧が高く、容易に気相化するので、処理室内に堆積することなく除去可能である。また、クリーニングガスとして、フッ素系のガスを使用した場合には、後処理として、IPAを添加することにより、蒸気圧の低いフッ化物を蒸気圧の高いアルコキシドへ転換することにより、容易に気相化させ、処理室外に排気することが可能である。

Claim (excerpt)：

処理室内に収容された被処理体に対して金属又はその化合物を成膜させる処理装置において、少なくとも三塩化窒素(NCl3)を含むクリーニングガスを前記処理室内に導入するためのガス導入手段を設けたことを特徴とする、処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ECRプラズマCVD法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-146069   Applicant：ソニー株式会社
• 特公平3-048268
  
• チャンバーのプラズマクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-087118   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-041335   Applicant：富士通株式会社