利得結合型分布帰還半導体レ-ザ装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999071057
Publication number (International publication number)：1999330635
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥の少ない活性層を持つ、良好な素子特性を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明による利得結合型分布帰還半導体レーザ装置は、共振器方向に周期的な利得変動を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置であって、共振器方向に沿って形成された周期的な第1の凹凸形状部の上に半導体埋込層14、51、65が形成され、該半導体埋込層の内部において、該第1の凹凸形状部の凹部上に該第1の凹凸形状部と同じ周期で縦長の活性層15、52、66が設けられている。

Claim (excerpt)：

共振器方向に周期的な利得変動を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置であって、共振器方向に沿って形成された周期的な第1の凹凸形状部の上に半導体埋込層が形成され、該半導体埋込層の内部において、該第1の凹凸形状部の凹部上に該第1の凹凸形状部と同じ周期で縦長の活性層が設けられている、利得結合型分布帰還半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体分布帰還型レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-199454 Applicant：光計測技術開発株式会社
特許第4115593号
特開平1-143283

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Cited by examiner (7)

半導体分布帰還型レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-199454 Applicant：光計測技術開発株式会社
特許第4115593号
特開平1-143283

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Cited by examiner (3)

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