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J-GLOBAL ID：200903007551857735

太陽電池の製造方法

Inventor：
舩越 康志

About 舩越 康志


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007322187
Publication number (International publication number)：2009147070
Application date： Dec. 13, 2007
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：
【課題】発電効率に優れた太陽電池を安価に製造することができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の一方の表面となる第1の表面の少なくとも一部にp型不純物を拡散させることによって高濃度p型不純物拡散層を形成する工程と、高濃度p型不純物拡散層および高濃度p型不純物拡散層の形成時に高濃度p型不純物拡散層上に形成された膜の少なくとも一方をマスクとしてシリコン基板の第1の表面またはシリコン基板の第1の表面と反対側の第2の表面をエッチングする工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板の一方の表面となる第1の表面の少なくとも一部にp型不純物を拡散させることによって高濃度p型不純物拡散層を形成する工程と、 前記高濃度p型不純物拡散層および前記高濃度p型不純物拡散層の形成時に前記高濃度p型不純物拡散層上に形成された膜の少なくとも一方をマスクとして前記シリコン基板の前記第1の表面または前記シリコン基板の前記第1の表面と反対側の第2の表面をエッチングする工程と、を含む、太陽電池の製造方法。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (1)：
H01L31/04 A
F-Term (15)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03 ,  5F051HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開平2-123769号公報
Cited by examiner (3)

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